三安集成于EDICON24展示新一代砷化镓射频器件制造工艺

　　EDICON CHINA 2024 （电子设计创新大会）于4月9日-10日在北京会议中心正式举行，暌违三年有余，作为无线通信行业工程师的专业交流平台，大会再次召集了射频、微波以及无线设计行业领域的精英企业，针对当下的通信、消费和航空航天等领域的应用展开讨论和技术分享。三安集成作为化合物射频前端器件的整合服务商，应邀参与大会，并在技术报告会中做出分享。

　　三安集成应邀参与EDICON 2024，并在技术报告会中做出分享

　　随着5G演进到Rel. 18及更高，推动着射频前端迭代到最新的Phase 8架构，集成度进一步提高。三安集成新一代的砷化镓射频器件制造工艺正是针对市场主流的模组化趋势，能够为客户提供更高性能的解决方案。
　　射频前端PA器件功放管主要采用砷化镓HBT工艺，追求在高频工况下，具备高线性度、稳定性和放大效率。三安集成通过在外延材料及工艺端的改善，发展的HP1/HP2工艺，对比起前代的HG6/HG7，在IMD3和PAE均有明显的改善，能够满足在复杂工况下的信号输出稳定需求。同时，配合新一代的铜柱工艺，实现晶圆的轻薄化和良好散热特性，减小模组尺寸，缩减成本、提升整体系统性能。
　　三安集成砷化镓研发部部长郭佳衢在报告中提道，三安集成的砷化镓HBT工艺已经覆盖了2/3/4G，Sub-6GHz，以及Wi-Fi 7等无线通信应用，并向着更高频率的应用投入研发资源。
　　砷化镓PHEMT是三安集成的另一工艺体系，目前已进展到0.1um的工艺节点，可以满足客户在Ka至W波段的高频应用，实现良好的信号强度和低噪声系数。成熟的P25工艺型谱则广泛应用于接收模组和中高功率的手机和基站，新一代P25ED51工艺相比前代在OIP3系数有明显改善，显现出出色的产品竞争力。
　　“三安集成具备丰富的大规模制造经验，秉持‘客户至上’的精神，为客户和市场提供更高质量的制造服务，帮助客户实现商业成功，共同促进无线通信行业的发展繁荣。”郭佳衢部长补充道。